Компания Motorola представила на конференции IEEE International Solid State Circuits Conference первый в мире образец чипа магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) - устройства, которое может произвести настоящую революцию на рынке памяти для компьютеров и других электронных устройств.
MRAM объединяет в себе все достоинства используемых сегодня типов памяти: она обладает высокой скоростью работы, характерной для статической (SRAM), и невысокой стоимостью динамической (DRAM) памяти, а также энергонезависимостью флэш-памяти. Продемонстрированный образец MRAM емкостью 256 Кбит основан на ячейках памяти, образованных одним транзистором и одним туннельным магнитным переходом (Magnetic Tunnel Junction - MTJ), при этом на цикл чтения/записи требуется затратить всего 50 наносекунд. Чип состоит из 16 блоков по 16 Кбит каждый и потребляет мощность 2,4 мВт при напряжении питания 3 В.
Motorola является одной из первых компаний, занимающихся технологией MRAM. На протяжении всего периода исследований она тесно контактировала со специалистами Агентства Перспективных Оборонных Исследований США (DARPA), что позволило ей занять лидирующее положение в разработках нового типа памяти. В настоящее время специалисты Motorola заняты разработкой более компактных чипов, с большей плотностью хранения информации производительностью. Все работы производятся на базе фабрики-лаборатории, расположенной в Чэндлере (Chandler), штат Аризона. Появление промышленных образцов MRAM ожидается к 2003 году, а массовое производство памяти должно начаться в 2004 году.
Применение MRAM позволит решить множество проблем, связанных с энергосбережением и потерями данных вследствие отключения питания, отказаться от использования в одном и том же устройстве различных типов памяти для выполнения разных задач (SRAM - кэш, DRAM - ОЗУ, флэш - хранение данных) и уменьшить связанные с этим затраты. Особенно важно появление MRAM в связи с массовым распространением наладонных компьютеров и персональных коммуникаторов, которые постоянно работают от батарей и требуют для реализации новых функций все больших объемов памяти.
По информации "Компьютерры".
