Специалисты корпорации IBM сообщили о создании нового транзистора, способного выполнять около 350 млрд. циклов в секунду - это примерно в 3 раза быстрее, чем аналогичные показатели самых быстродействующих транзисторов, существующих на сегодняшний день. Более подробно о технологии компания планирует рассказать на технологическом форуме International Electron Devices Meeting, который пройдет с 9 по 11 декабря в Сан- Франциско.
Транзистор создан на основе кремния и германия. По словам разработчиков, послойное объединение этих двух элементов существенно повышает производительность транзистора. Кроме этого, при включении его в цепь, состоящую из обычных кремниевых транзисторов, также можно добиться более высокого быстродействия.
Как заявили в IBM, для освоения процесса создания микросхем на основе новых транзисторов потребуется около двух лет. При этом частота их работы может составить до 150 ГГц. Самые мощные схемы работают на частоте около 50 ГГц. При этом энергопотребление новых схем, а также их цена существенно снизятся. Использование таких микросхем может быть практически повсеместным - от мобильного телефона до микроволновой печи, сообщает РИА "РосБизнесКонсалтинг".
