Компания Samsung Electronics объявила о разработке более доступных по цене модулей памяти типа Rambus DRAM (RDRAM) емкостью 256 Мбит.

Эти модули имеют более простую архитектуру, аналогичную той, что используется в чипах памяти синхронного динамического ОЗУ (SDRAM), а размер их на 5% меньше, чем у традиционных модулей RDRAM. Новые чипы Rambus DRAM состоят из 4 банков памяти в отличие от обычных RDRAM-модулей с 32 банками. По заявлению представителей компании Samsung, новая конструкция модулей RDRAM позволила сократить затраты на их производство как минимум на 20% (напомним, что обычные модули RDRAM стоят в 2-3 раза дороже чипов SDRAM той же емкости).

Массовое производство этих относительно дешевых модулей памяти RDRAM компания Samsung планирует начать во второй половине 2001 года, и производиться они будут по 0,17-мкм технологии.

Samsung также заявила, что в 2000 году ей принадлежало как минимум 50% мирового рынка модулей RDRAM. По ее прогнозам, в 2001 году объем поставок этих чипов на мировой рынок составит 250-300 млн. штук.
По информации "InfoArt News Agency".